(Skontaktuj się z najlepszą ceną) IRFR7540TRPBF Elementy elektroniczne Części Układ scalony MCU Układy scalone IC IRFR7540TRPBF
Cechy produktu
| TYP | OPIS |
| Kategoria | Dyskretne produkty półprzewodnikowe |
| Mfr | Technologie Infineon |
| Seria | SilnyIRFET™ |
| Pakiet | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® |
| Stan produktu | Aktywny |
| Typ FET | Kanał N |
| Technologia | MOSFET (tlenek metalu) |
| Napięcie dren-źródło (Vdss) | 60 V |
| Prąd – ciągły dren (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone) | 6 V, 10 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4,8 mOhm przy 66 A, 10 V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3,7 V przy 100 µA |
| Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs | 130 nC przy 10 V |
| Vgs (maks.) | ±20 V |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 4360 pF przy 25 V |
| Funkcja FET | - |
| Rozpraszanie mocy (maks.) | 140 W (Tc) |
| temperatura robocza | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ mocowania | Montaż powierzchniowy |
| Pakiet urządzeń dostawcy | D-PAK (TO-252AA) |
| Opakowanie/etui | TO-252-3, DPak (2 przewody + zakładka), SC-63 |
| Podstawowy numer produktu | IRFR7540 |
Dokumenty i multimedia
| TYP ZASOBÓW | POŁĄCZYĆ |
| Arkusze danych | IRF(R,U)7540PbF |
| Inne powiązane dokumenty | System numerowania części IR |
| Opisywany produkt | Systemy przetwarzania danych |
| Arkusz danych HTML | IRF(R,U)7540PbF |
| Modele EDA | IRFR7540TRPBF firmy Ultra Librarian |
| Modele symulacyjne | Model przypraw IRFR7540 |
Klasyfikacje środowiskowe i eksportowe
| ATRYBUT | OPIS |
| Stan RoHS | Zgodny z ROHS3 |
| Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL) | 1 (nieograniczony) |
| Stan REACH | REACH Bez zmian |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Dodatkowe zasoby
| ATRYBUT | OPIS |
| Inne nazwy | SP001550214 IRFR7540TRPBFCT IRFR7540TRPBFDKR IRFR7540TRPBFTR |
| Standardowe opakowanie | 2000 |
Tranzystor to urządzenie półprzewodnikowe powszechnie stosowane we wzmacniaczach lub przełącznikach sterowanych elektronicznie.Tranzystory to podstawowe elementy regulujące działanie komputerów, telefonów komórkowych i wszystkich innych nowoczesnych obwodów elektronicznych.
Ze względu na szybką reakcję i wysoką dokładność, tranzystory mogą być wykorzystywane do szerokiej gamy funkcji cyfrowych i analogowych, w tym do wzmacniania, przełączania, regulatora napięcia, modulacji sygnału i oscylatora.Tranzystory mogą być pakowane pojedynczo lub na bardzo małej powierzchni, która może pomieścić 100 milionów lub więcej tranzystorów jako część układu scalonego.
W porównaniu z lampą elektronową tranzystor ma wiele zalet:
1.Komponent nie podlega zużyciu
Bez względu na to, jak dobra jest lampa, będzie ona stopniowo ulegać zniszczeniu w wyniku zmian w atomach katody i chronicznych wycieków powietrza.Ze względów technicznych tranzystory miały ten sam problem, kiedy były produkowane po raz pierwszy.Dzięki postępowi materiałów i ulepszeniom pod wieloma względami tranzystory wytrzymują zwykle od 100 do 1000 razy dłużej niż lampy elektroniczne.
2. Zużywaj bardzo mało energii
Jest to tylko jedna dziesiąta lub dziesiątka jednej z lamp elektronowych.Nie ma potrzeby podgrzewania żarnika, aby wytworzyć wolne elektrony, tak jak lampa elektronowa.Radio tranzystorowe potrzebuje tylko kilku suchych baterii do słuchania przez sześć miesięcy w roku, co jest trudne do osiągnięcia w przypadku radia lampowego.
3. Nie ma potrzeby wstępnego podgrzewania
Pracuj od razu po włączeniu.Na przykład radio tranzystorowe wyłącza się natychmiast po włączeniu, a telewizor tranzystorowy ustawia obraz zaraz po włączeniu.Sprzęt z lampą próżniową nie jest w stanie tego zrobić.Po uruchomieniu poczekaj chwilę, aby usłyszeć dźwięk, zobacz zdjęcie.Oczywiście w wojsku, pomiarach, rejestracji itp. Tranzystory są bardzo korzystne.
4. Mocny i niezawodny
100 razy bardziej niezawodne niż lampa elektronowa, odporność na wstrząsy, odporność na wibracje, która jest nieporównywalna z lampą elektronową.Ponadto rozmiar tranzystora wynosi tylko jedną dziesiątą do jednej setnej rozmiaru lampy elektronowej, bardzo małe wydzielanie ciepła, można wykorzystać do projektowania małych, złożonych i niezawodnych obwodów.Chociaż proces produkcji tranzystora jest precyzyjny, jest on prosty, co sprzyja poprawie gęstości instalacji komponentów.
