zamówienie_bg

produkty

IPD135N08N3G Zupełnie nowy układ scalony

krótki opis:


Szczegóły produktu

Tagi produktów

Cechy produktu

TYP OPIS
Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe

Tranzystory – FET, MOSFET – pojedyncze

Mfr Technologie Infineon
Seria OptiMOS™
Pakiet Taśma i szpula (TR)
Stan produktu Przestarzały
Typ FET Kanał N
Technologia MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80 V
Prąd – ciągły dren (Id) @ 25°C 45A (Tc)
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone) 6 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13,5 mOhm przy 45 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id 3,5 V przy 33 µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Vgs (maks.) ±20 V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds 1730 pF przy 40 V
Funkcja FET -
Rozpraszanie mocy (maks.) 79 W (Tc)
temperatura robocza -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Pakiet urządzeń dostawcy PG-TO252-3
Opakowanie/etui TO-252-3, DPak (2 przewody + zakładka), SC-63
Podstawowy numer produktu IPD135N

Dokumenty i multimedia

TYP ZASOBÓW POŁĄCZYĆ
Arkusze danych IPD135N08N3G
Inne powiązane dokumenty Przewodnik po numerach części
Opisywany produkt Systemy przetwarzania danych
Arkusz danych HTML IPD135N08N3G

Klasyfikacje środowiskowe i eksportowe

ATRYBUT OPIS
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL) 1 (nieograniczony)
Stan REACH REACH Bez zmian
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Dodatkowe zasoby

ATRYBUT OPIS
Inne nazwy SP000454266

IPD135N08N3GBTMA1TR

IPD135N08N3 G

IPD135N08N3 G-ND

Standardowe opakowanie 2500

Tranzystor to urządzenie półprzewodnikowe powszechnie stosowane we wzmacniaczach lub przełącznikach sterowanych elektronicznie.Tranzystory to podstawowe elementy regulujące działanie komputerów, telefonów komórkowych i wszystkich innych nowoczesnych obwodów elektronicznych.

Ze względu na szybką reakcję i wysoką dokładność, tranzystory mogą być wykorzystywane do szerokiej gamy funkcji cyfrowych i analogowych, w tym do wzmacniania, przełączania, regulatora napięcia, modulacji sygnału i oscylatora.Tranzystory mogą być pakowane pojedynczo lub na bardzo małej powierzchni, która może pomieścić 100 milionów lub więcej tranzystorów jako część układu scalonego.

W porównaniu z lampą elektronową tranzystor ma wiele zalet:

Komponent nie podlega zużyciu

Bez względu na to, jak dobra jest lampa, będzie ona stopniowo ulegać zniszczeniu w wyniku zmian w atomach katody i chronicznych wycieków powietrza.Ze względów technicznych tranzystory miały ten sam problem, kiedy były produkowane po raz pierwszy.Dzięki postępowi materiałów i ulepszeniom pod wieloma względami tranzystory wytrzymują zwykle od 100 do 1000 razy dłużej niż lampy elektroniczne.

Zużywają bardzo mało energii

Jest to tylko jedna dziesiąta lub dziesiątka jednej z lamp elektronowych.Nie ma potrzeby podgrzewania żarnika, aby wytworzyć wolne elektrony, tak jak lampa elektronowa.Radio tranzystorowe potrzebuje tylko kilku suchych baterii do słuchania przez sześć miesięcy w roku, co jest trudne do osiągnięcia w przypadku radia lampowego.

Nie ma potrzeby wstępnego podgrzewania

Pracuj od razu po włączeniu.Na przykład radio tranzystorowe wyłącza się natychmiast po włączeniu, a telewizor tranzystorowy ustawia obraz zaraz po włączeniu.Sprzęt z lampą próżniową nie jest w stanie tego zrobić.Po uruchomieniu poczekaj chwilę, aby usłyszeć dźwięk, zobacz zdjęcie.Oczywiście w wojsku, pomiarach, rejestracji itp. Tranzystory są bardzo korzystne.

Mocny i niezawodny

100 razy bardziej niezawodne niż lampa elektronowa, odporność na wstrząsy, odporność na wibracje, która jest nieporównywalna z lampą elektronową.Ponadto rozmiar tranzystora wynosi tylko jedną dziesiątą do jednej setnej rozmiaru lampy elektronowej, bardzo małe wydzielanie ciepła, można wykorzystać do projektowania małych, złożonych i niezawodnych obwodów.Chociaż proces produkcji tranzystora jest precyzyjny, jest on prosty, co sprzyja poprawie gęstości instalacji komponentów.


  • Poprzedni:
  • Następny:

  • Napisz tutaj swoją wiadomość i wyślij ją do nas