IPD068P03L3G nowe oryginalne komponenty elektroniczne układ scalony MCU usługa BOM w magazynie IPD068P03L3G

krótki opis:

Wyślij e-mail do nas Pobierz arkusz danych

Szczegóły produktu

Tagi produktów

Cechy produktu

TYP	OPIS
Kategoria	Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory – FET, MOSFET – pojedyncze
Mfr	Technologie Infineon
Seria	OptiMOS™
Pakiet	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Stan produktu	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd – ciągły dren (Id) @ 25°C	70A (Tc)
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)	4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6,8 mOhm przy 70 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id	2 V przy 150 µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs	91 nC przy 10 V
Vgs (maks.)	±20 V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds	7720 pF przy 15 V
Funkcja FET	-
Rozpraszanie mocy (maks.)	100 W (Tc)
temperatura robocza	-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Pakiet urządzeń dostawcy	PG-TO252-3
Opakowanie/etui	TO-252-3, DPak (2 przewody + zakładka), SC-63
Podstawowy numer produktu	IPD068

Dokumenty i multimedia

TYP ZASOBÓW	POŁĄCZYĆ
Arkusze danych	IPD068P03L3 G
Inne powiązane dokumenty	Przewodnik po numerach części
Opisywany produkt	Systemy przetwarzania danych
Arkusz danych HTML	IPD068P03L3 G
Modele EDA	IPD068P03L3GATMA1 autorstwa Ultra Librarian

Klasyfikacje środowiskowe i eksportowe

ATRYBUT	OPIS
Stan RoHS	Zgodny z ROHS3
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)	1 (nieograniczony)
Stan REACH	REACH Bez zmian
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.29.0095

Dodatkowe zasoby

ATRYBUT

OPIS

Inne nazwy

IPD068P03L3GATMA1DKR

IPD068P03L3GATMA1-ND

SP001127838

IPD068P03L3GATMA1CT

IPD068P03L3GATMA1TR

Standardowe opakowanie

2500

Tranzystor

Tranzystor to Aurządzenie półprzewodnikowewykorzystywany dowzmacniaćLubprzełączniksygnały elektryczne imoc.Tranzystor jest jednym z podstawowych elementów składowych nowoczesnościelektronika.[1]Jest to złożone zmateriał półprzewodnikowy, zwykle z co najmniej trzematerminaledo podłączenia do obwodu elektronicznego.ANapięcieLubaktualnyprzyłożony do jednej pary zacisków tranzystora steruje prądem płynącym przez inną parę zacisków.Ponieważ moc kontrolowana (wyjściowa) może być wyższa niż moc sterująca (wejściowa), tranzystor może wzmocnić sygnał.Niektóre tranzystory są pakowane pojedynczo, ale wiele innych można znaleźć w obudowachobwody scalone.

Austro-Węgier fizyk Juliusza Edgara Lilienfeldazaproponował koncepcję Atranzystor polowyw 1926 r., lecz wówczas nie było już możliwości skonstruowania działającego urządzenia.[2]Pierwszym działającym urządzeniem, które zbudowano, był:tranzystor punktowywynaleziony w 1947 roku przez amerykańskich fizykówJohna BardeenaIWaltera Brattainapodczas pracy podWilliama ShockleyaNaLaboratoria Bella.Cała trójka podzieliła się rokiem 1956Nagroda Nobla w dziedzinie fizykiza ich osiągnięcia.[3]Najpopularniejszym rodzajem tranzystora jest tzwtranzystor polowy metal-tlenek-półprzewodnik(MOSFET), który został wynaleziony przezMohamed AtallaIDawona Kahngaw Bell Labs w 1959 r.[4][5][6]Tranzystory zrewolucjonizowały dziedzinę elektroniki i utorowały drogę mniejszym i tańszymradia,kalkulatory, Ikomputery, między innymi.

Większość tranzystorów wykonana jest z bardzo czystegokrzem, a niektóre zgerman, ale czasami stosuje się pewne inne materiały półprzewodnikowe.Tranzystor może mieć tylko jeden rodzaj nośników ładunku w przypadku tranzystora polowego lub może mieć dwa rodzaje nośników ładunku wtranzystor bipolarnyurządzenia.W porównaniu zrura próżniowa, tranzystory są na ogół mniejsze i wymagają mniejszej mocy do działania.Niektóre lampy próżniowe mają przewagę nad tranzystorami przy bardzo wysokich częstotliwościach roboczych lub wysokich napięciach roboczych.Wiele typów tranzystorów jest wytwarzanych według standardowych specyfikacji przez wielu producentów.

Poprzedni: IPD042P03L3G BTS5215LAUMA1 Układ scalony Nowy element elektroniczny

Następny: AQX IRF7416TRPBF Nowy i oryginalny układ scalony IRF7416TRPBF

Napisz tutaj swoją wiadomość i wyślij ją do nas