IPD135N08N3G Zupełnie nowy układ scalony
Cechy produktu
| TYP | OPIS |
| Kategoria | Dyskretne produkty półprzewodnikowe |
| Mfr | Technologie Infineon |
| Seria | OptiMOS™ |
| Pakiet | Taśma i szpula (TR) |
| Stan produktu | Przestarzały |
| Typ FET | Kanał N |
| Technologia | MOSFET (tlenek metalu) |
| Napięcie dren-źródło (Vdss) | 80 V |
| Prąd – ciągły dren (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone) | 6 V, 10 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13,5 mOhm przy 45 A, 10 V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3,5 V przy 33 µA |
| Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Vgs (maks.) | ±20 V |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 1730 pF przy 40 V |
| Funkcja FET | - |
| Rozpraszanie mocy (maks.) | 79 W (Tc) |
| temperatura robocza | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ mocowania | Montaż powierzchniowy |
| Pakiet urządzeń dostawcy | PG-TO252-3 |
| Opakowanie/etui | TO-252-3, DPak (2 przewody + zakładka), SC-63 |
| Podstawowy numer produktu | IPD135N |
Dokumenty i multimedia
| TYP ZASOBÓW | POŁĄCZYĆ |
| Arkusze danych | IPD135N08N3G |
| Inne powiązane dokumenty | Przewodnik po numerach części |
| Opisywany produkt | Systemy przetwarzania danych |
| Arkusz danych HTML | IPD135N08N3G |
Klasyfikacje środowiskowe i eksportowe
| ATRYBUT | OPIS |
| Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL) | 1 (nieograniczony) |
| Stan REACH | REACH Bez zmian |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Dodatkowe zasoby
| ATRYBUT | OPIS |
| Inne nazwy | SP000454266 IPD135N08N3GBTMA1TR IPD135N08N3 G IPD135N08N3 G-ND |
| Standardowe opakowanie | 2500 |
Tranzystor to urządzenie półprzewodnikowe powszechnie stosowane we wzmacniaczach lub przełącznikach sterowanych elektronicznie.Tranzystory to podstawowe elementy regulujące działanie komputerów, telefonów komórkowych i wszystkich innych nowoczesnych obwodów elektronicznych.
Ze względu na szybką reakcję i wysoką dokładność, tranzystory mogą być wykorzystywane do szerokiej gamy funkcji cyfrowych i analogowych, w tym do wzmacniania, przełączania, regulatora napięcia, modulacji sygnału i oscylatora.Tranzystory mogą być pakowane pojedynczo lub na bardzo małej powierzchni, która może pomieścić 100 milionów lub więcej tranzystorów jako część układu scalonego.
W porównaniu z lampą elektronową tranzystor ma wiele zalet:
Komponent nie podlega zużyciu
Bez względu na to, jak dobra jest lampa, będzie ona stopniowo ulegać zniszczeniu w wyniku zmian w atomach katody i chronicznych wycieków powietrza.Ze względów technicznych tranzystory miały ten sam problem, kiedy były produkowane po raz pierwszy.Dzięki postępowi materiałów i ulepszeniom pod wieloma względami tranzystory wytrzymują zwykle od 100 do 1000 razy dłużej niż lampy elektroniczne.
Zużywają bardzo mało energii
Jest to tylko jedna dziesiąta lub dziesiątka jednej z lamp elektronowych.Nie ma potrzeby podgrzewania żarnika, aby wytworzyć wolne elektrony, tak jak lampa elektronowa.Radio tranzystorowe potrzebuje tylko kilku suchych baterii do słuchania przez sześć miesięcy w roku, co jest trudne do osiągnięcia w przypadku radia lampowego.
Nie ma potrzeby wstępnego podgrzewania
Pracuj od razu po włączeniu.Na przykład radio tranzystorowe wyłącza się natychmiast po włączeniu, a telewizor tranzystorowy ustawia obraz zaraz po włączeniu.Sprzęt z lampą próżniową nie jest w stanie tego zrobić.Po uruchomieniu poczekaj chwilę, aby usłyszeć dźwięk, zobacz zdjęcie.Oczywiście w wojsku, pomiarach, rejestracji itp. Tranzystory są bardzo korzystne.
Mocny i niezawodny
100 razy bardziej niezawodne niż lampa elektronowa, odporność na wstrząsy, odporność na wibracje, która jest nieporównywalna z lampą elektronową.Ponadto rozmiar tranzystora wynosi tylko jedną dziesiątą do jednej setnej rozmiaru lampy elektronowej, bardzo małe wydzielanie ciepła, można wykorzystać do projektowania małych, złożonych i niezawodnych obwodów.Chociaż proces produkcji tranzystora jest precyzyjny, jest on prosty, co sprzyja poprawie gęstości instalacji komponentów.
