Nowy oryginalny układ scalony BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D układ scalony
BSZ040N06LS5
Poziom logiczny tranzystorów MOSFET mocy OptiMOS™ 5 firmy Infineon doskonale nadaje się do bezprzewodowego ładowania, adapterów i zastosowań telekomunikacyjnych.Niski ładunek bramki urządzenia (Q g) zmniejsza straty przełączania bez uszczerbku dla strat przewodzenia.Ulepszone parametry umożliwiają działanie przy wysokich częstotliwościach przełączania.Co więcej, napęd poziomu logicznego zapewnia niski próg bramkinapięcie podtrzymania (V GS(th)), umożliwiające sterowanie tranzystorami MOSFET przy napięciu 5 V i bezpośrednio z mikrokontrolerów.
Podsumowanie funkcji
Low R DS(on) w małym opakowaniu
Niski koszt bramki
Niższy ładunek wyjściowy
Zgodność na poziomie logicznym
Korzyści
Konstrukcje o wyższej gęstości mocy
Wyższa częstotliwość przełączania
Mniejsza liczba części wszędzie tam, gdzie dostępne jest zasilanie 5 V
Napędzany bezpośrednio z mikrokontrolerów (wolne przełączanie)
Redukcja kosztów systemu
Parametry
| Parametry | BSZ040N06LS5 |
| Cena budżetowa €/1 tys | 0,56 |
| Ciss | 2400 pF |
| Koss | 500 pF |
| ID (@25°C) maks | 101 A |
| Maks. IDpuls | 404 A |
| Montowanie | SMD |
| Temperatura pracy Min. Maks | -55°C 150°C |
| Ptot maks | 69 W |
| Pakiet | PQFN 3,3 x 3,3 |
| Liczba pinów | 8 Pinów |
| Biegunowość | N |
| QG (typ @4,5 V) | 18 nC |
| Qgd | 5,3 nC |
| RDS (wł.) (@4,5 V LL) maks | 5,6 mΩ |
| RDS (wł.) (@4,5 V) maks | 5,6 mΩ |
| RDS (wł.) (@10V) maks | 4 mΩ |
| Rt maks | 1,8 K/W |
| RthJA maks | 62 K/W |
| RthJC maks | 1,8 K/W |
| VDS maks | 60 V |
| VGS(th) min maks | 1,7 V 1,1 V 2,3 V |
