-
Cytuj listę BOM IC IDW30C65D2 Układ scalony o wysokiej jakości
Atrybuty produktu TYP OPIS Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody – Prostowniki – Układy Mfr Seria Infineon Technologies Rapid 2 Lampa Status produktu Konfiguracja aktywnej diody 1 para Wspólna katoda Typ diody Standardowe napięcie – DC Reverse (Vr) (maks.) 650 V Prąd – Średnio wyprostowane ( Io) (na diodę) 15A Napięcie – do przodu (Vf) (maks.) przy 2,2 V przy 15 A Prędkość szybkiego odzyskiwania =< 500 ns, > 200 mA (Io) Odzysk do tyłu... -
Oryginalny nowy tranzystor BSZ100 PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS układ scalony układ scalony IC w magazynie
Atrybuty produktu TYP OPIS Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory – FET, MOSFET – pojedyncze Mfr Seria Infineon Technologies Pakiet OptiMOS™ Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® Status produktu Aktywny typ FET Technologia N-Channel MOSFET (tlenek metalu ) Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V Prąd – ciągły dren (Id) przy 25°C 40 A (Tc) Napięcie napędu (maks. Rds włączone, min. Rds włączone) 6 V, 10 V Rds włączone (maks.) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 20A, 10V... -
BSZ060NE2LS Układ scalony Nowy oryginalny układ scalony o wysokiej jakości w najlepszej cenie
Atrybuty produktu TYP OPIS Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory – FET, MOSFET – pojedyncze Mfr Seria Infineon Technologies Pakiet OptiMOS™ Taśma i szpula (TR)Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status produktu Aktywny typ FET Technologia N-Channel MOSFET (tlenek metalu) Napięcie dren-źródło (Vdss) Prąd 25 V – ciągły dren (Id) przy 25°C 12 A (Ta), 40 A (Tc) Napięcie napędu (maks. Rds włączone, min. Rds włączone) 4,5 V, 10 V Rds włączone (maks.) @ Identyfikator, Vgs 6 mOhm @... -
(STOCK) BSS138NH6327 nowy i oryginalny gorący produkt komponentów elektronicznych
Atrybuty produktu TYP OPIS Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory – FET, MOSFET – pojedyncze Mfr Seria Infineon Technologies SIPMOS® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status produktu Aktywny typ FET Technologia N-Channel MOSFET (tlenek metalu ) Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V Prąd – ciągły dren (Id) @ 25°C 230 mA (Ta) Napięcie napędu (maks. Rds włączone, min. Rds włączone) 4,5 V, 10 V Rds włączone (maks.) @ Id, Vgs 3,5 Om przy 230 mA... -
Oryginalny nowy w magazynie tranzystor MOSFET dioda tyrystorowa SOT-223 BSP125H6327 układ scalony element elektroniczny
Atrybuty produktu TYP OPIS Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory – FET, MOSFET – pojedyncze Mfr Seria Infineon Technologies SIPMOS® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status produktu Aktywny typ FET Technologia N-Channel MOSFET (tlenek metalu ) Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V Prąd – ciągły dren (Id) przy 25°C 120 mA (Ta) Napięcie napędu (maks. Rds włączone, min. Rds włączone) 4,5 V, 10 V Rds włączone (maks.) @ Id, Vgs 45 omów @120mA... -
Zupełnie nowy, oryginalny MOSFET TDSON-8 BSC0902NSI o wysokiej jakości w najlepszej cenie
Atrybuty produktu TYP OPIS Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory – FET, MOSFET – pojedyncze Mfr Seria Infineon Technologies Pakiet OptiMOS™ Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® Status produktu Aktywny typ FET Technologia N-Channel MOSFET (tlenek metalu ) Napięcie dren-źródło (Vdss) Prąd 30 V – ciągły dren (Id) @ 25°C 23 A (Ta), 100 A (Tc) Napięcie napędu (maks. Rds włączone, min. Rds włączone) 4,5 V, 10 V Rds włączone (maks.) @ Identyfikator, Vgs 2,8 m... -
Nowy i oryginalny układ scalony BSC160N10NS3G w magazynie Ic Chip o wysokiej jakości
Atrybuty produktu TYP OPIS Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory – FET, MOSFET – pojedyncze Mfr Seria Infineon Technologies Pakiet OptiMOS™ Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® Status produktu Aktywny typ FET Technologia N-Channel MOSFET (tlenek metalu ) Napięcie dren-źródło (Vdss) Prąd 100 V – ciągły dren (Id) @ 25°C 8,8 A (Ta), 42 A (Tc) Napięcie napędu (maks. Rds włączone, min. Rds włączone) 6 V, 10 V Rds włączone (maks.) @Id, Vgs 16mOh... -
Nowy i oryginalny układ scalony BSC100N06LS3G o jakości
Atrybuty produktu TYP OPIS Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory – FET, MOSFET – pojedyncze Mfr Seria Infineon Technologies Pakiet OptiMOS™ Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® Status produktu Aktywny typ FET Technologia N-Channel MOSFET (tlenek metalu ) Napięcie dren-źródło (Vdss) Prąd 60 V – ciągły dren (Id) @ 25°C 12 A (Ta), 50 A (Tc) Napięcie napędu (maks. Rds włączone, min. Rds włączone) 4,5 V, 10 V Rds włączone (maks.) @Identyfikator, Vgs 10mOh... -
BSC070N10NS3G Układ scalony w najlepszej cenie. Oryginalny komponent elektroniczny o wysokiej jakości
Atrybuty produktu TYP OPIS Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory – FET, MOSFET – pojedyncze Mfr Seria Infineon Technologies Pakiet OptiMOS™ Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® Status produktu Aktywny typ FET Technologia N-Channel MOSFET (tlenek metalu ) Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V Prąd – ciągły dren (Id) przy 25°C 90 A (Tc) Napięcie napędu (maks. Rds włączone, min. Rds włączone) 6 V, 10 V Rds włączone (maks.) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 50A, 10V... -
BSC060N10NS3G Nowy i oryginalny układ scalony Ic BSC060N10NS3G
Atrybuty produktu TYP OPIS Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory – FET, MOSFET – pojedyncze Mfr Seria Infineon Technologies Pakiet OptiMOS™ Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® Status produktu Aktywny typ FET Technologia N-Channel MOSFET (tlenek metalu ) Napięcie dren-źródło (Vdss) Prąd 100 V – ciągły dren (Id) @ 25°C 14,9 A (Ta), 90 A (Tc) Napięcie napędu (maks. Rds włączone, min. Rds włączone) 6 V, 10 V Rds włączone (maks.) @Id, Vgs 6mOh... -
Nowy i oryginalny układ scalony gorąca sprzedaż komponentów elektronicznych układ scalony BSC016N06NS
Atrybuty produktu TYP OPIS Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory – FET, MOSFET – pojedyncze Mfr Seria Infineon Technologies Pakiet OptiMOS™ Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® Status produktu Aktywny typ FET Technologia N-Channel MOSFET (tlenek metalu ) Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V Prąd – ciągły dren (Id) przy 25°C 30 A (Ta), 100 A (Tc) Napięcie napędu (maks. Rds włączone, min. Rds włączone) 6 V, 10 V Rds włączone (maks.) @ Identyfikator, Vgs 1,6 mOh... -
BFS481H6327 Układy scalone Regulacja/zarządzanie prądem Analogowe mnożniki Dzielniki
Atrybuty produktu TYP OPIS Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory – bipolarne (BJT) – RF Numer Infineon Technologies Series – Taśma pakietowa i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® Status produktu Aktywny tranzystor typu 2 NPN (podwójne) napięcie – Kolektor Awaria emitera (maks.) Częstotliwość 12 V – przejście Wartość szumu 8 GHz (dB typ @ f) 0,9 dB ~ 1,2 dB przy 900 MHz ~ 1,8 GHz Wzmocnienie 20 dB Moc – maks. 175 mW Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) ...
