-
Nowe oryginalne komponenty elektroniczne IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF
Atrybuty produktu TYP OPIS Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory – FET, MOSFET – pojedyncze Mfr Seria Infineon Technologies HEXFET® Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® Status produktu Aktywny typ FET Technologia P-Channel MOSFET (tlenek metalu ) Napięcie dren-źródło (Vdss) Prąd 100 V – ciągły dren (Id) przy 25°C 23 A (Tc) Napięcie napędu (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10 V Rds wł. (maks.) @ Id, Vgs 117 mOhm przy 14 A, 10V... -
Hurtowy oryginalny dystrybutor części Układ scalony IC Układ scalony IRF8736TRPBF Układ scalony IC
Atrybuty produktu TYP OPIS Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory – FET, MOSFET – pojedyncze Mfr Seria Infineon Technologies HEXFET® Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® Status produktu Aktywny typ FET Technologia N-Channel MOSFET (tlenek metalu ) Napięcie dren-źródło (Vdss) Prąd 30 V – ciągły dren (Id) przy 25°C 18 A (Ta) Napięcie napędu (maks. Rds włączone, min. Rds włączone) 4,5 V, 10 V Rds włączone (maks.) @ Id, Vgs 4,8 mOhm @ 18A, 1... -
Nowy i oryginalny element elektroniczny IRF7103TRPBF układ scalony
Atrybuty produktu TYP OPIS Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory – FET, MOSFET – macierze Producent Infineon Technologies Seria HEXFET® Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® Status produktu Aktywny FET Typ 2 N-kanałowy (podwójny) FET Cecha Standardowe napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V prąd – ciągły dren (Id) przy 25°C 6,5 A Rds włączony (maks.) przy Id, Vgs 29 mOhm przy 5,8 A, 10 V Vgs(th) (maks.) przy Id 1 V przy 250 µA Ładunek bramki (Qg) (maks.... -
IRF7103TRPBF Nowy i oryginalny układ scalony IC IRF7103TRPBF
Atrybuty produktu TYP OPIS Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory – FET, MOSFET – macierze Producent Infineon Technologies Seria HEXFET® Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® Status produktu Aktywny FET Typ 2 N-kanałowy (podwójny) FET Cecha Standardowe napięcie dren-źródło (Vdss) 50 V prąd – ciągły dren (Id) przy 25°C 3 A Rds włączony (maks.) przy Id, Vgs 130 mOhm przy 3 A, 10 V Vgs(th) (maks.) przy Id 3 V przy 250 µA ładowanie bramki (Qg) (Maks.) @... -
IRF7103TRPBF Nowy i oryginalny układ scalony IC IRF7103TRPBF
Atrybuty produktu TYP OPIS Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory – FET, MOSFET – macierze Producent Infineon Technologies Seria HEXFET® Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® Status produktu Aktywny FET Typ 2 N-kanałowy (podwójny) FET Cecha Standardowe napięcie dren-źródło (Vdss) 50 V prąd – ciągły dren (Id) przy 25°C 3 A Rds włączony (maks.) przy Id, Vgs 130 mOhm przy 3 A, 10 V Vgs(th) (maks.) przy Id 3 V przy 250 µA ładowanie bramki (Qg) (Maks.) @... -
IRF4905STRLPBF Nowe i oryginalne komponenty elektroniczne Układ scalony IC Usługa BOM w magazynie IRF4905STRLPBF
Atrybuty produktu TYP OPIS Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory – FET, MOSFET – pojedyncze Mfr Seria Infineon Technologies HEXFET® Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® Status produktu Aktywny typ FET Technologia P-Channel MOSFET (tlenek metalu ) Napięcie dren-źródło (Vdss) 55 V Prąd – ciągły dren (Id) przy 25°C 42 A (Tc) Napięcie napędu (maks. Rds włączone, min. Rds włączone) 10 V Rds włączone (maks.) @ Id, Vgs 20 mOhm przy 42 A, 10V Vg... -
Zupełnie nowe oryginalne komponenty elektroniczne układ scalony IC IRF3205STRLPBF układy scalone
Atrybuty produktu TYP OPIS Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory – FET, MOSFET – pojedyncze Mfr Seria Infineon Technologies HEXFET® Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® Status produktu Aktywny typ FET Technologia N-Channel MOSFET (tlenek metalu ) Napięcie dren-źródło (Vdss) Prąd 55 V – ciągły dren (Id) przy 25°C 110 A (Tc) Napięcie napędu (maks. Rds włączone, min. Rds włączone) 10 V Rds włączone (maks.) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 62 A, 10V Vg... -
IRF100S201 Zaleta dostaw Nowe oryginalne inteligentne układy scalone Usługa BOM dla IRF100S201
Atrybuty produktu TYP OPIS Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory – FET, MOSFET – pojedyncze Mfr Seria Infineon Technologies HEXFET®, opakowanie StrongIRFET™ Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® Status produktu Aktywny typ FET Technologia N-Channel MOSFET (tlenek metalu) Napięcie dren-źródło (Vdss) Prąd 100 V – ciągły dren (Id) przy 25°C 192 A (Tc) Napięcie napędu (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10 V Rds wł. (maks.) @ Id, Vgs 4,2 och... -
IPW60R099P7 Nowy oryginał w magazynie Szybka dostawa Układ scalony Komponenty elektroniczne Usługa BOM dla IPW60R099P7
Atrybuty produktu TYP OPIS Kategoria Układy scalone (IC) Specjalistyczne układy scalone Mfr Infineon Technologies Series - opakowanie zbiorcze Status produktu Aktywne dokumenty i media TYP ZASOBÓW LINK Arkusze danych IPW60R099P7 Arkusz danych Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa ATRYBUT OPIS ECCN EAR99 HTSUS 8541.29.0095 Dodatkowe zasoby ATRYBUT OPIS Inne nazwy 2156 -IPW60R099P7 INFINFIPW60R099P7 Pakiet standardowy 1 Zintegrowany obwód... -
IPD135N08N3G Zupełnie nowy układ scalony
Atrybuty produktu TYP OPIS Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory – FET, MOSFET – pojedyncze Mfr Seria Infineon Technologies Pakiet OptiMOS™ Taśma i szpula (TR) Status produktu Przestarzały typ FET Technologia N-Channel MOSFET (tlenek metalu) Napięcie drenu do źródła (Vdss) 80 V Prąd – ciągły dren (Id) @ 25°C 45 A (Tc) Napięcie napędu (Max Rds On, Min Rds On) 6 V, 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13,5 mOhm @ 45 A, 10 V Vgs(th) ( Max) @ Identyfikator... -
IPD036N04LG Gorąco sprzedający się ICS, nowy i oryginalny, o wysokiej jakości
Atrybuty produktu TYP OPIS Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory – FET, MOSFET – pojedyncze Mfr Seria Infineon Technologies OptiMOS™ 3 Pakiet Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status produktu Aktywny typ FET Technologia N-Channel MOSFET (metalowy Tlenek) Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V Prąd – ciągły dren (Id) @ 25°C 90A (Tc) Napięcie napędu (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5 V, 10 V Rds wł. (maks.) @ Id, Vgs 3,6 mOhm przy 90 A... -
TO-252 IPD33CN10NG z wysokiej jakości tranzystorem chipowym Nowa i oryginalna cena
Atrybuty produktu TYP OPIS Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory – FET, MOSFET – pojedyncze Mfr Seria Infineon Technologies Pakiet OptiMOS™ Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® Status produktu Aktywny typ FET Technologia N-Channel MOSFET (tlenek metalu ) Napięcie dren-źródło (Vdss) Prąd 100 V – ciągły dren (Id) przy 25°C 27 A (Tc) Napięcie napędu (maks. Rds włączone, min. Rds włączone) 10 V Rds włączone (maks.) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 27 A, 10V...
